| 退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响 |
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| 引用本文： | 吕建国,叶志镇,黄靖云,赵炳辉,汪雷.退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响[J].半导体学报,2003,24(7). |
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| 作者姓名： | 吕建国 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 汪雷 |
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| 作者单位： | 浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 退火处理 退火模型 结晶性能 |
Influence of Postdeposition Annealing on Crystallinity of Zinc Oxide Films |
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