首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

0.18μm数字CMOS工艺下的高增益运算放大器设计
引用本文:王晗,叶青.0.18μm数字CMOS工艺下的高增益运算放大器设计[J].半导体学报,2006,27(z1):318-321.
作者姓名:王晗  叶青
作者单位:中国科学院微电子研究所,北京,100029
摘    要:基于SMIC 0.18μm数字CMOS工艺,设计了一种基于增益增强技术的折叠式共源共栅运算放大器,并采用衬底校准技术增大了运放的输入摆幅,可用于13位30MHz采样频率的流水线模数转换器,分析了受流水线性能限制的运放性能.仿真结果表明运放在1V的输入摆幅下开环增益大于100dB,8.5pF负载电容下单位增益带宽为322MHz,功耗仅为1.9mW.

关 键 词:CMOS  运算放大器  折叠式共源共栅  增益增强  衬底校准  流水线模数转换器  数字  CMOS  工艺  高增益  运算放大器设计  Gain  High  功耗  单位增益带宽  负载电容  开环增益  仿真结果  性能限  流水线模数转换器  分析  采样频率  输入  校准技术  共源共栅运算放大器  折叠式
文章编号:0253-4177(2006)S0-0318-04
修稿时间:2005年10月11日

An OPAMP with High DC Gain in 0.18m Digital CMOS
Wang Han,Ye Qing.An OPAMP with High DC Gain in 0.18m Digital CMOS[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):318-321.
Authors:Wang Han  Ye Qing
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号