| 应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究 |
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| 引用本文： | 方晓明,沈学础,侯宏启,冯巍,周钧铭.应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究[J].半导体学报,1990,11(4):270-278. |
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| 作者姓名： | 方晓明 沈学础 侯宏启 冯巍 周钧铭 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放实验室，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 北京，北京，北京 |
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| 摘 要： | 在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。
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| 关 键 词： | InGaAs－GaAs 量子阱 光电谱 应变层 |
Photocurrent Investigation of Strained-Layer InGaAs-GaAs Multiple Quantum Wells |
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| Fang Xiaoming/Laboratory for Infrared Physics,Academia Sinica,ShanghaiShen Xuechu/Laboratory for Infrared Physics,Academia Sinica,ShanghaiHouHongqi/Institute of Physics,Academia Sinica,BeijingFeng Wei/Institute of Physics,Academia Sinica,BeijingZhou Junming/Institute of Physics,Academia Sinica,Beijing.Photocurrent Investigation of Strained-Layer InGaAs-GaAs Multiple Quantum Wells[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(4):270-278. |
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| Authors: | Fang Xiaoming/Laboratory for Infrared Physics Academia Sinica ShanghaiShen Xuechu/Laboratory for Infrared Physics Academia Sinica ShanghaiHouHongqi/Institute of Physics Academia Sinica BeijingFeng Wei/Institute of Physics Academia Sinica BeijingZhou Junming/Institute of Physics Academia Sinica Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Strained-layer multiple quantum wells Band offset Exciton transition |
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