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T形结构在位测量薄膜中残余张应力的理论研究
引用本文:徐方迁,徐联,何世堂.T形结构在位测量薄膜中残余张应力的理论研究[J].半导体学报,2004,25(5):597-600.
作者姓名:徐方迁  徐联  何世堂
作者单位:中国科学院声学研究所,中国科学院声学研究所,中国科学院声学研究所 北京100080,华北科技学院电子信息工程系,北京101601,北京100080,北京100080
基金项目:中国科学院知识创新工程项目
摘    要:给出了考虑梁的轴向载荷情况下理论计算公式的推导过程 ,在变形较大时两种公式计算结果最大相差9.6 5 % .用 L PCVD技术制作了几种大小不同的 T形梁结构 ,给出了残余张应力与杨氏模量比值 .

关 键 词:应力        变形
文章编号:0253-4177(2004)05-0597-04
修稿时间:2003年5月17日

Study of In Situ Measurement of Residual Tensile Stress in Thin Films for T-Shaped Microstructures
Xu Fangqian ,Xu Lian and He Shitang.Study of In Situ Measurement of Residual Tensile Stress in Thin Films for T-Shaped Microstructures[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(5):597-600.
Authors:Xu Fangqian    Xu Lian and He Shitang
Affiliation:Xu Fangqian 1,2,Xu Lian 1 and He Shitang 1
Abstract:
Keywords:stress  film  flection
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