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碳原子的再分布对铂上高质量单层石墨烯生长的影响
引用本文:李银英,伍晓明,吴华强,钱鹤.碳原子的再分布对铂上高质量单层石墨烯生长的影响[J].半导体学报,2015,36(1):013005-6.
作者姓名:李银英  伍晓明  吴华强  钱鹤
摘    要:二维材料石墨烯以其独特的性质显示出在众多领域的应用潜力。化学气相淀积(CVD)作为最有效的生长单层石墨烯的方法得以良好发展。但在CVD方法中,频繁出现的多层石墨烯“点”严重影响单层石墨烯的有效面积,进而限制了石墨烯在很多场景中的应用。本文通过引入一个新的阶段-再分布阶段,使得在分解阶段溶解在铂片中的碳原子重新分布,进而减少了多层石墨烯“点”的数目。单层石墨烯的平均面积增加到16000μm2,较未引入再分布阶段的单层面积增大了八倍。最后,拉曼光谱仪的测试结果说明了新方法下生长的石墨烯的高质量特征。

关 键 词:graphene  synthesis  platinum  redistribution  stage  monolayer  grapheme
收稿时间:6/5/2014 12:00:00 AM

Redistribution of carbon atoms in Pt substrate for high quality monolayer graphene synthesis
Li Yinying,Wu Xiaoming,Wu Huaqiang and Qian He.Redistribution of carbon atoms in Pt substrate for high quality monolayer graphene synthesis[J].Chinese Journal of Semiconductors,2015,36(1):013005-6.
Authors:Li Yinying  Wu Xiaoming  Wu Huaqiang and Qian He
Affiliation:Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China
Abstract:
Keywords:graphene synthesis  platinum  redistribution stage  monolayer grapheme
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