| 应用于大功率MMIC开关的AlGaN背势垒GaN HEMT |
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| 引用本文： | 任春江,沈宏昌,李忠辉,陈堂胜,张斌,高涛.应用于大功率MMIC开关的AlGaN背势垒GaN HEMT[J].半导体学报,2015,36(1):014008-5. |
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| 作者姓名： | 任春江 沈宏昌 李忠辉 陈堂胜 张斌 高涛 |
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| 摘 要： | 报道了应用于大功率开关的AlGaN背势垒0.25μm GaN HEMT。通过引入AlGaN背势垒,MOCVD淀积在3英寸SiC衬底上的AlGaN/GaN异质结材料缓冲层的击穿电压获得了大幅度的提升,相比于普通GaN缓冲层和掺Fe GaN缓冲层击穿电压提升幅度分别为4倍和2倍。采用具有AlGaN背势垒AlGaN/GaN 外延材料研制的GaN HEMT开关管在源漏间距为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm和4μm时,估算得到的关态功率承受能力分别为25.0W、46.2W、64.0W、79.2W和88.4W。基于源漏间距为2.5μm的GaN HEMT开关管设计了DC-12GHz的单刀双掷MMIC开关。该开关采用了反射式串-并-并结构,整个带内插入损耗最大1.0dB、隔离度最小30dB,10GHz下连续波测试得到其功率承受能力达44.1dBm。
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT back barrier MMIC high power switch |
| 修稿时间： | 8/3/2014 12:00:00 AM |
GaN HEMT with AlGaN back barrier for high power MMIC switch application |
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| Ren Chunjiang,Shen Hongchang,Li Zhonghui,Chen Tangsheng,Zhang Bin and Gao Tao.GaN HEMT with AlGaN back barrier for high power MMIC switch application[J].Chinese Journal of Semiconductors,2015,36(1):014008-5. |
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| Authors: | Ren Chunjiang Shen Hongchang Li Zhonghui Chen Tangsheng Zhang Bin and Gao Tao |
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| Affiliation: | National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules, Nanjing Electron Devices Institute,Nanjing 210016, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT back barrier MMIC high power switch |
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