| MFIS结构的C-V特性 |
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| 引用本文： | 颜雷,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝,钟琪,汤祥云.MFIS结构的C-V特性[J].半导体学报,2000,21(12):1203-1207. |
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| 作者姓名： | 颜雷 汤庭鳌 黄维宁 姜国宝 钟琪 汤祥云 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系微电子研究所,复旦大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69876008; |
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| 摘 要： | 研究了运用SOL-GEL方法制备的Au/PZT(铅锆钛)/ZrO2/Si结构电容即 MFIS(Metal/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电容的方法,并对其进行了SEM、C- V特性测试及ZrO2介质层介电常数分析 .研究了C-V存储窗口(Memory Window)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系,得出MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为7～10左右 ,在外加电压-5V～+5V时存储窗口可达2.52 V左右 .
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| 关 键 词： | 不挥发非破坏性读出铁电存储器 存储窗口 铁电薄膜 电滞回线 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)12-1203-05 |
| 修稿时间： | 1999年9月4日 |
C-V Characteristic of MFIS Structure |
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| YAN Lei,TANG Ting-ao,HUANG Wei-ning,JIANG Guo-bao,ZHONG Qi and TANG Xiang-yun.C-V Characteristic of MFIS Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(12):1203-1207. |
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| Authors: | YAN Lei TANG Ting-ao HUANG Wei-ning JIANG Guo-bao ZHONG Qi and TANG Xiang-yun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | non-volatile and non-destructive-read-out ferroelectric memory (MFIS FET) memory window ferroelectric thin film hysteresis loop |
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