| RF磁控溅射制备AZO透明导电薄膜及其性能 |
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| 引用本文： | 杨伟锋,刘著光,张峰,黄火林,吴正云.RF磁控溅射制备AZO透明导电薄膜及其性能[J].半导体学报,2008,29(12):2311-2315. |
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| 作者姓名： | 杨伟锋 刘著光 张峰 黄火林 吴正云 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,厦门,361005;厦门大学物理系,厦门,361005;厦门大学萨本栋微机电中心,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底上制备了多晶ZnO: Al (AZO）透明导电薄膜，通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光学性能的影响. 分析表明:在最优条件下（溅射功率为250W，氩气压强为1.2Pa时）, 180nm AZO薄膜的电阻率为2.68E-3 Ω· cm，可见光区平均透射率为90%，适合作为发光二极管和太阳能电池的透明电极. 所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向，晶粒间界中的O原子吸附是限制薄膜电学性能的主要因素.
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| 关 键 词： | RF磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜 |
| 收稿时间： | 4/7/2008 12:22:58 AM |
| 修稿时间： | 8/6/2008 4:33:46 PM |
Structural,Electrical,and Optical Properties of Transparent Conductive Al-Doped ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| Yang Weifeng,Liu Zhuguang,Zhang Feng,Huang Huolin and Wu Zhengyun.Structural,Electrical,and Optical Properties of Transparent Conductive Al-Doped ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(12):2311-2315. |
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| Authors: | Yang Weifeng Liu Zhuguang Zhang Feng Huang Huolin and Wu Zhengyun |
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| Affiliation: | Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;MEMS Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF magnetron sputtering transparent conductive film AZO film |
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