| HgCdTe组分异质结的生长与表征 |
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| 引用本文： | 焦翠灵,徐庆庆,赵守仁,孙士文,方维政,魏彦锋.HgCdTe组分异质结的生长与表征[J].半导体学报,2008,29(7). |
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| 作者姓名： | 焦翠灵 徐庆庆 赵守仁 孙士文 方维政 魏彦锋 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 采用富碲水平推舟液相外延生长方式,在(111)晶向的碲锌镉衬底上生长了双层组分异质HgCdTe外延薄膜,并对生长后的薄膜质量进行了评价.使用染色法和红外透射光谱数值拟合的方法,对两层薄膜的厚度进行了表征,并建立了一个双层薄膜纵向组分分布模型;对材料的电学参数进行测量的结果显示,双层异质液相外延样品中长波层的载流子迁移率较之单层液相外延样品略高,原因可能是中波覆盖层对长波外延层起到了钝化作用.
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| 关 键 词： | HgCdTe 液相外延 双层组分异质结 |
Growth and Characterization of HgCdTe Compositional Heterojunctions |
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| Jiao Cuiling,Xu Qingqing,Zhao Shouren,Sun Shiwen,Fang Weizheng,Wei Yanfeng.Growth and Characterization of HgCdTe Compositional Heterojunctions[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7). |
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| Authors: | Jiao Cuiling Xu Qingqing Zhao Shouren Sun Shiwen Fang Weizheng Wei Yanfeng |
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