| 非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性 |
| |
| 引用本文： | 孔金丞,孔令德,赵俊,张朋举,李竑志,李雄军,王善力,姬荣斌.非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性[J].半导体学报,2008,29(4). |
| |
| 作者姓名： | 孔金丞 孔令德 赵俊 张朋举 李竑志 李雄军 王善力 姬荣斌 |
| |
| 作者单位： | 昆明物理研究所,昆明,650023 |
| |
| 摘 要： | 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe,α-MCT)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态HgCdTe薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态HgCdTe薄膜的"生长窗口".采用傅里叶红外透射光谱分析技术对非晶态HgCdTe薄膜进行了光学性能研究,在1.0～2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数(～8×104cm-1),研究了其光学带隙(约0.83eV)和吸收边附近的3个吸收区域.
|
| 关 键 词： | 非晶态碲镉汞 射频磁控溅射 光学带隙 |
Structural and Optical Properties of Amorphous MCT Films Deposited by RF Magnetron Sputtering |
| |
| Kong Jincheng,Kong Lingde,Zhao Jun,Zhang Pengju,Li Hongzhi,Li Xiongjun,Wang Shanli,Ji Rongbin.Structural and Optical Properties of Amorphous MCT Films Deposited by RF Magnetron Sputtering[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(4). |
| |
| Authors: | Kong Jincheng Kong Lingde Zhao Jun Zhang Pengju Li Hongzhi Li Xiongjun Wang Shanli Ji Rongbin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
