| 45nm工艺pn混合下拉网络多米诺异或门设计 |
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| 引用本文： | 汪金辉,宫娜,耿淑琴,侯立刚,吴武臣,董利民.45nm工艺pn混合下拉网络多米诺异或门设计[J].半导体学报,2008,29(12). |
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| 作者姓名： | 汪金辉 宫娜 耿淑琴 侯立刚 吴武臣 董利民 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学集成电路与系统研究室,北京,100022
2. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
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| 摘 要： | 提出了一种pn混合下拉网络技术,即在多米诺门的下拉网络中混合使用pMOS管和nMOS管来降低电路的功耗并提高电路的性能.首先,应用此技术设计了多米诺异或门,与标准的n型多米诺异或门相比,新型异或门的静态功耗和动态功耗分别减小了 46%和3%.然后,在此技术的基础上,综合应用多电源电压技术和双阈值技术设计了功耗更低的多米诺异或门,与标准的n型多米诺异或门相比,静态功耗和动态功耗分别减小了82%和21%.最后分析并确定了4种多米诺异或门的最小漏电流状态和交流噪声容限.
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| 关 键 词： | 异或门 pn混合网络 动态功耗 静态功耗 |
Design of pn Mixed Pull-Down Network Domino XOR Gate in 45nm Technology |
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| Wang Jinhui,Gong Na,Geng Shuqin,Hou Ligang,Wu Wuchen,Dong Limin.Design of pn Mixed Pull-Down Network Domino XOR Gate in 45nm Technology[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(12). |
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| Authors: | Wang Jinhui Gong Na Geng Shuqin Hou Ligang Wu Wuchen Dong Limin |
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