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| MgZnO/ZnO p-n异质结的制备与特性 | |
| 引用本文： | 董鑫,赵旺,张源涛,张宝林,李香萍,杜国同.MgZnO/ZnO p-n异质结的制备与特性[J].半导体学报,2008,29(7). |
| 作者姓名： | 董鑫 赵旺 张源涛 张宝林 李香萍 杜国同 |
| 作者单位： | 1. 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116033 2. 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130012 3. 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116033;吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130012 |
| 摘 要： | 通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了MgZnO/Zn0的p-n异质结,并研究了其I-V特性:开启电压约为3.6V,结特性良好.比较了n型ZnO层与P型MgxZn1-xO层的电阻率、迁移率和载流子浓度.ZnO层的电阻率很小,载流子浓度很大;而Mgxzn1-xO层的电阻率却大幅度的增加,载流子浓度较ZnO层小了一个数量级.通过对其n型与P型层的光致发光(PL)谱的测试发现,ZnO层与Mgxzn1-xO层分别在382和370nm处存在着由自由激子复合而导致的紫外发光峰,为近带边发光.MgxZn1-xO的紫外峰明显弱于ZnO样品的,这是由于MgZnO合金中易形成分相所造成的,所以现阶段其晶体质量还不能与ZnO的相比.另外,两样品在480nm附近都存在着比较弱的深能级发光峰,这是晶体的本征缺陷或其他杂质的引入造成的,并对样品进行了X射线衍射(XRD)谱与电致发光(EL)谱等测试与分析. |
| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 氧化锌 镁锌氧合金 异质结 电致发光光谱 |
MgZnO/ZnO p-n Heterojunctions Fabricated by MOCVD |
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| Dong Xin,Zhao Wang,Zhang Yuantao,Zhang Baolin,Li Xiangping,Du Guotong.MgZnO/ZnO p-n Heterojunctions Fabricated by MOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7). | |
| Authors: | Dong Xin Zhao Wang Zhang Yuantao Zhang Baolin Li Xiangping Du Guotong |
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