| 衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响 |
| |
| 引用本文： | 石凯,许铭真,谭长华.衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响[J].半导体学报,2006,27(6):1115-1119. |
| |
| 作者姓名： | 石凯 许铭真 谭长华 |
| |
| 作者单位： | 北京大学微电子学系,北京,100871;北京大学微电子学系,北京,100871;北京大学微电子学系,北京,100871 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASH memory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.
|
| 关 键 词： | FLASH memory 热载流子 耐久性 碰撞电离 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)06-1115-05 |
| 收稿时间： | 09 6 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 10 28 2005 12:00AM |
Effects of Reverse Substrate Bias on the Endurance Degradation of FLASH Memory Devices |
| |
| Shi Kai,Xu Mingzhen and Tan Changhua.Effects of Reverse Substrate Bias on the Endurance Degradation of FLASH Memory Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6):1115-1119. |
| |
| Authors: | Shi Kai Xu Mingzhen and Tan Changhua |
| |
| Affiliation: | Department of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Department of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Department of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | FLASH memory hot-carrier endurance impact ionization |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
