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| (Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级 | |
| 引用本文： | 高季林,吴荣汉,李照银,高淑芬.(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级[J].半导体学报,1985,6(3):245-249. |
| 作者姓名： | 高季林 吴荣汉 李照银 高淑芬 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (高季林，吴荣汉，李照银)，中国科学院半导体研究所(高淑芬) |
| 摘 要： | 采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光器中的深能级,对于这些深能级所引起的激光器退化问题进行了初步研究和讨论. |
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