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| 图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究 | |
| 引用本文： | 司俊杰,杨沁清,高俊华,滕达,王启明,郭丽伟,周均铭.图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究[J].半导体学报,1999,20(5):353-357. |
| 作者姓名： | 司俊杰 杨沁清 高俊华 滕达 王启明 郭丽伟 周均铭 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 本文研究了在Ｓｉ的图形衬底上生长应变ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格的结构和其光致发光性质．图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成．发现在组成倒金字塔结构的（１１１）面的交界处有富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线出现．对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变ＳｉＧｅ层的光致发光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了５．２倍．认为这种提高同富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线的产生相关． |
| 关 键 词： | 锗化硅 硅 图形衬底 结构 光致发光 |
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