| RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 |
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| 引用本文： | 胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J].半导体学报,2003,24(6):602-605. |
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| 作者姓名： | 胡国新 王晓亮 孙殿照 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心 北京100083
(胡国新，王晓亮，孙殿照，王军喜，刘宏新，刘成海，曾一平，李晋闽)，中国科学院半导体研究所材料中心 北京100083(林兰英) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60136020; |
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| 摘 要： | 用射频等离子体辅助分子束外延技术( RF- MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的Ga N膜以及Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料.所获得的掺Si的Ga N膜室温电子浓度为2 .2e1 8cm- 3,相应的电子迁移率为2 2 1cm2 /( V·s) ;1μm厚的Ga N外延膜的( 0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽( FWHM)为7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到10 86cm2 /( V·s) ,相应的二维电子气面密度为7.5e1 2 cm- 2 .
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| 关 键 词： | RF-MBE 二维电子气 HFET AlGaN/GaN |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)06-0602-04 |
| 修稿时间： | 2002年7月18日 |
Two-Dimensional Electron Gas Materials with AlN/GaN Superlattice Structure Grown by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy |
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| Hu Guoxin,Wang Xiaoliang,Sun Dianzhao,Wang Junxi,Liu Hongxin,Liu Chenghai Zeng Yiping,Li Jinmin and Lin Lanying.Two-Dimensional Electron Gas Materials with AlN/GaN Superlattice Structure Grown by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(6):602-605. |
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| Authors: | Hu Guoxin Wang Xiaoliang Sun Dianzhao Wang Junxi Liu Hongxin Liu Chenghai Zeng Yiping Li Jinmin and Lin Lanying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF-MBE 2DEG HFET AlGaN/GaN |
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