| Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 宋登元,王永青,孙荣霞,宗晓萍,郭宝增.Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响[J].半导体学报,2002,23(10):1078-1082. |
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| 作者姓名： | 宋登元 王永青 孙荣霞 宗晓萍 郭宝增 |
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| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
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| 摘 要： | 在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉积在衬底温度250℃、溅射功率100W和纯氩气氛中进行.通过在0.2～3.2Pa范围改变溅射氩气氛压力pAr,研究了不同pAr对样品的晶体结构、电学特性、光学特性和表观形貌的影响.利用X射线衍射(XRD)、透射和反射谱测量、扫描电子显微镜(SEM),发现不同pAr下ZnO∶Al薄膜都具有垂直于衬底C轴择优取向.在可见光谱范围,pAr对透过率的影响非常小,薄膜的平均透过率大于83%,但红外透过率与薄膜的电阻率成正比.在较低的溅射气压下(pAr=0.2Pa)获得的薄膜电阻率最小,对应有大的光学带隙(3.61eV).随着pAr的降低,晶粒尺寸增大.pAr对ZnO∶Al薄膜的表观形貌有显著的影响.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 铝掺杂 射频磁控溅射 溅射气压 SEM形貌 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)10-1078-05 |
| 修稿时间： | 2001年12月29日 |
Effect of Ar Pressure on Properties of ZnO∶Al Films Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| Song Dengyuan,Wang Yongqing,Sun Rongxia,Zong Xiaoping and Guo Baozeng.Effect of Ar Pressure on Properties of ZnO∶Al Films Prepared by RF Magnetron Sputtering[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(10):1078-1082. |
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| Authors: | Song Dengyuan Wang Yongqing Sun Rongxia Zong Xiaoping and Guo Baozeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO film aluminum-doped RF magnetron sputtering Ar pressure SEM surface morphology |
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