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一种红外探测器专用77K工作CMOS前置放大器
引用本文:袁红辉,袁剑辉,王京辉.一种红外探测器专用77K工作CMOS前置放大器[J].半导体学报,2005,26(4):790-794.
作者姓名:袁红辉  袁剑辉  王京辉
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 上海200083 (袁红辉),长沙理工大学物理与电子科学系 长沙410077 (袁剑辉),中国科学院近代物理研究所 兰州730000(王京辉)
摘    要:利用single-ended folded-cascode 结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,实现了一种在77K工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器.分析了它的噪声特性,提出了减少噪声的措施.此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成.经过测试,这种前置放大器在低温77K下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,线性度达到了1%,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz,功耗小于1mW.

关 键 词:CMOS  低温  低功耗  低噪声  前置放大器
文章编号:0253-4177(2005)04-0790-05
修稿时间:2004年5月21日

A CMOS Preamplifier Working at 77K for IR Detectors
Yuan Honghui,Yuan Jianhui,WANG Jinghui.A CMOS Preamplifier Working at 77K for IR Detectors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(4):790-794.
Authors:Yuan Honghui  Yuan Jianhui  WANG Jinghui
Abstract:
Keywords:CMOS  low temperature  low-power  low-noise  preamplifier
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