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| GaN——第三代半导体的曙光 | |
| 引用本文： | 梁春广,张冀.GaN——第三代半导体的曙光[J].半导体学报,1999,20(2):89-99. |
| 作者姓名： | 梁春广 张冀 |
| 作者单位： | 电子工业部第十三研究所 |
| 摘 要： | 自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后，氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术，包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件，如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、ＦＥＴｓ和探测器等的发展现状，同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景． |
| 关 键 词： | 氮化镓 化合物半导体 宽带隙 半导体材料 |
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