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| 基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响 | |
| 引用本文： | 安俊明,李建军,魏希文,沈光地,陈建新,邹德恕.基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响[J].半导体学报,1999,20(3):188-193. |
| 作者姓名： | 安俊明 李建军 魏希文 沈光地 陈建新 邹德恕 |
| 作者单位： | [1]大连理工大学物理系半导体教研室 [2]北京工业大学电子工程系 |
| 摘 要： | 采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对nSi/pSi1-xGex/nSi应变基区异质结双极晶体管(HBT)共射极电流放大系数β的影响,给出了Si1-xGexHBT的Gummel图、平衡能带图.得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起β下降的主要因素,并给出了减小基区复合电流的Ge分布形式. |
| 关 键 词： | 双极晶体管 异质结 应变基区 共射极电流增益 |
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