| GaN基肖特基结构紫外探测器 |
| |
| 引用本文： | 王俊,赵德刚,刘宗顺,伍墨,金瑞琴,李娜,段俐宏,张书明,朱建军,杨辉.GaN基肖特基结构紫外探测器[J].半导体学报,2004,25(6):711-714. |
| |
| 作者姓名： | 王俊 赵德刚 刘宗顺 伍墨 金瑞琴 李娜 段俐宏 张书明 朱建军 杨辉 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V偏压时暗电流为 0 4 2nA ,在 10V偏压时暗电流为 38 5nA .在零偏压下 ,该紫外探测器在2 5 0nm～ 36 5nm的波长范围内有较高的响应度 ,峰值响应度在 36 3nm波长处达到 0 12A/W ,在 36 5nm波长左右有陡峭的截止边 ;当波长超过紫外探测器的截止波长 (36 5nm左右 ) ,探测器的响应度减小了三个数量级以上 .该紫外探测器的响
|
| 关 键 词： | GaN 肖特基结构 紫外探测器 响应度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)06-0711-04 |
| 修稿时间： | 2003年6月30日 |
GaN Schottky Barrier Ultraviolet Detector |
| |
| Wang Jun,Zhao Degang,Liu Zongshun,Wu Mo,Jin Ruiqin,Li Na,Duan Lihong,Zhang Shuming,Zhu Jianjun and Yang Hui.GaN Schottky Barrier Ultraviolet Detector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(6):711-714. |
| |
| Authors: | Wang Jun Zhao Degang Liu Zongshun Wu Mo Jin Ruiqin Li Na Duan Lihong Zhang Shuming Zhu Jianjun and Yang Hui |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN Schottky ultraviolet detector responsivity |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
