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高增益K波段MMIC低噪声放大器
引用本文:王闯,钱蓉,孙晓玮.高增益K波段MMIC低噪声放大器[J].半导体学报,2006,27(7):1285-1289.
作者姓名:王闯  钱蓉  孙晓玮
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050
摘    要:基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.

关 键 词:PHEMT  K波段  MMIC  高增益  低噪声放大器  芯片级电磁场仿真  高增益  波段  MMIC  低噪声放大器  Gain  High  Low  Noise  Amplifier  通信系统  汽车雷达  应用  芯片尺寸  输出功率  压缩  面积  动态范围  噪声系数  功率增益  输入输出驻波比  电路性能  使用
文章编号:0253-4177(2006)07-1285-05
收稿时间:11 14 2005 12:00AM
修稿时间:01 7 2006 12:00AM

K-Band Monolithic Low Noise Amplifier with High Gain
Wang Chuang,Qian Rong and Sun Xiaowei.K-Band Monolithic Low Noise Amplifier with High Gain[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(7):1285-1289.
Authors:Wang Chuang  Qian Rong and Sun Xiaowei
Affiliation:Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050 China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050 China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050 China
Abstract:
Keywords:PHEMT  K band  MMIC  high gain  low noise amplifier  layout EM simulation
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