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| 几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究, | |
| 引用本文： | 牛国富,阮刚.几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,[J].半导体学报,1992,13(12):721-728. |
| 作者姓名： | 牛国富 阮刚 |
| 作者单位： | 复旦大学微电子学研究所 上海200433 (牛国富)，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 上海200050(阮刚) |
| 摘 要： | 本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。 |
| 关 键 词： | VLSI 集成电路 离子注入 工艺 |
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