| GSMBE生长的高质量氮化镓材料 |
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| 引用本文： | 孙殿照,王晓亮,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,侯洵,林兰英.GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J].半导体学报,2000,21(7):723-725. |
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| 作者姓名： | 孙殿照 王晓亮 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 侯洵 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中 |
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| 摘 要： | 使用NH3作氮源,采用GSMBE方法在(0001)Al2O3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6′,室温电子迁移率为300cm2/(V·s),背景电子浓度约为3e17cm-3.
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| 关 键 词： | 氮化镓 分子束外延 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)07-0723-03 |
| 修稿时间： | 2000-03-30 |
High Quality GaN Grown by GSMBE |
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| SUN Dian\|zhao,WANG Xiao\|liang,WANG Jun\|xi,LIU Hong\|xin,LIU Cheng\|hai,ZENG Yi\|ping,LI Jin\|min,HOU Xun\ and LIN Lan\|ying.High Quality GaN Grown by GSMBE[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(7):723-725. |
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| Authors: | SUN Dian\|zhao WANG Xiao\|liang WANG Jun\|xi LIU Hong\|xin LIU Cheng\|hai ZENG Yi\|ping LI Jin\|min HOU Xun\ and LIN Lan\|ying |
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| Affiliation: | SUN Dian-zhao
,WANG Xiao-liang
,WANG Jun-xi
,LIU Hong-xin
,LIU Cheng-hai
,ZENG Yi-ping
(Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN MBE |
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