| 室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 赵欢,杜云,倪海桥,张石勇,韩勤,徐应强,牛智川,吴荣汉.室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器[J].半导体学报,2007,28(Z1):486-488. |
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| 作者姓名： | 赵欢 杜云 倪海桥 张石勇 韩勤 徐应强 牛智川 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 赵欢（中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083）;杜云（中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083）;倪海桥（中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083）;张石勇（中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083）;韩勤（中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083）;徐应强（中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083）;牛智川（中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083）;吴荣汉（中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.
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| 关 键 词： | 分子束外延 快速热退火 量子阱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0486-03 |
| 修稿时间： | 2006年12月30 |
Room Temperature Continuous Wave Operation 1.59μm GaInNAsSb Quantum Well Lasers |
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| Zhao Huan,Du Yun,Ni Haiqiao,Zhang Shiyong,Han Qin,Xu Yingqiang,Niu Zhichuan,Wu Ronghan.Room Temperature Continuous Wave Operation 1.59μm GaInNAsSb Quantum Well Lasers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):486-488. |
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| Authors: | Zhao Huan Du Yun Ni Haiqiao Zhang Shiyong Han Qin Xu Yingqiang Niu Zhichuan Wu Ronghan |
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