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闭管扩散Zn对InP表面性质的影响
引用本文:吕衍秋,庄春泉,黄杨程,李萍,龚海梅.闭管扩散Zn对InP表面性质的影响[J].半导体学报,2006,27(13):105-108.
作者姓名:吕衍秋  庄春泉  黄杨程  李萍  龚海梅
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院研究生院,北京 100049;中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院研究生院,北京 100049;中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院研究生院,北京 100049;中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院研究生院,北京 100049;中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083
摘    要:利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP (100)晶片进行扩散. 用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线. 结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级. 另外对扩散后的样品进行光致发光(PL) 测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.

关 键 词:闭管扩散  电化学C-V  二次离子质谱  光致发光

Properties of Zn-Diffused InP Surfaces with Sealed Tube Method
Abstract:Zn3P2 used as source,(100) oriented and unintended doped InP wafers are diffused with the sealed tube method at different diffusion temperatures and diffusion times.Hole and Zn depth profiles are measured by electrical chemical capacitance-voltage (ECV) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS).The results show that the concentrations of hole and Zn in InP layers after diffusion decrease sharply at the diffused/virgin interface.The hole concentration at InP surfaces primary depends on diffusion temperature.The thickness of the diffused layer increases with diffusion time.The Zn concentration is higher one magnitude of order than the hole concentration at InP surfaces.Furthermore,photoluminescence measurement shows that the properties of InP surfaces change little by properly decreasing diffusion temperature and increasing diffusion time if the carrier concentration is enough.
Keywords:sealed tube method  ECV  SIMS  PL
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