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| GD Si:H薄膜的结构和电传导性质 | |
| 引用本文： | 沈宗雍,吴汝麟,何宇亮.GD Si:H薄膜的结构和电传导性质[J].半导体学报,1983,4(3):302-305. |
| 作者姓名： | 沈宗雍 吴汝麟 何宇亮 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (沈宗雍)，南京大学物理系 (吴汝麟)，南京大学物理系(何宇亮) |
| 摘 要： | 用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随T_s升高而长大.实验结果表明:未掺杂的微晶薄膜(平均晶粒大小d<200 (A|°)),如同无定形的Si:H 薄膜一样能够用Mott-Danis公式来解释它们的电传导性质. |
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