| 纳米电子学 |
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| 引用本文： | 薛增泉,张琦锋,宋教花,郭等柱,梁学磊,申志勇,陈清,高崧,张耿民,赵兴钰,刘惟敏,彭练矛,吴锦雷,吴全德.纳米电子学[J].半导体学报,2003,24(z1):17-21. |
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| 作者姓名： | 薛增泉 张琦锋 宋教花 郭等柱 梁学磊 申志勇 陈清 高崧 张耿民 赵兴钰 刘惟敏 彭练矛 吴锦雷 吴全德 |
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| 作者单位： | 北京大学电子学系,北京,100871,北京大学电子学系,北京,100871;中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60231010,90206048; |
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| 摘 要： | 在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性.
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| 关 键 词： | 纳米电子学 单电子 量子字节 碳纳米管 巴基葱 碳纳米管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)0-0017-05 |
| 修稿时间： | 2002年9月16日 |
Nanoelectronics |
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