| 高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响 |
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| 引用本文： | 康香宁,宋国峰,叶晓军,侯识华,陈良惠.高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响[J].半导体学报,2004,25(5). |
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| 作者姓名： | 康香宁 宋国峰 叶晓军 侯识华 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响,结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-x-As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器.
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| 关 键 词： | AlxGa1-xAs湿氮选择氧化 微区光致发光谱 垂直腔面发射激光器 |
Effect of High Aluminum AlGaAs Oxidized Layers on Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers |
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