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| 多栅GaAs MESFET开关的结构设计 | |
| 引用本文： | 陈新宇,郝西萍,陈继义.多栅GaAs MESFET开关的结构设计[J].半导体学报,2004,25(4). |
| 作者姓名： | 陈新宇 郝西萍 陈继义 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证. |
| 关 键 词： | 多栅 开关 金属半导体场效应晶体管 砷化镓 栅栅间距 |
Multi-Gate GaAs MESFET Switch |
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| Keywords: | |
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