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用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅
引用本文:孙加兴,叶甜春,陈大鹏,谢常青,伊福庭.用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅[J].半导体学报,2004,25(3).
作者姓名:孙加兴  叶甜春  陈大鹏  谢常青  伊福庭
作者单位:1. 中国科学院微电子中心,北京,100029
2. 中国科学院高能物理研究所,北京,100039
摘    要:采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.

关 键 词:X射线光刻  PHEMT  T型栅  三层胶工艺

Tri-Layer Resist Fabrication Technology of T-Shaped Gate Using X-Ray Lithography
Abstract:
Keywords:
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