用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅 |
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引用本文: | 孙加兴,叶甜春,陈大鹏,谢常青,伊福庭.用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅[J].半导体学报,2004,25(3). |
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作者姓名: | 孙加兴 叶甜春 陈大鹏 谢常青 伊福庭 |
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作者单位: | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029 2. 中国科学院高能物理研究所,北京,100039 |
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摘 要: | 采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.
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关 键 词: | X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺 |
Tri-Layer Resist Fabrication Technology of T-Shaped Gate Using X-Ray Lithography |
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Keywords: | |
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