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| 半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 | |
| 引用本文： | 施卫,田立强.半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性[J].半导体学报,2004,25(6). |
| 作者姓名： | 施卫 田立强 |
| 作者单位： | 西安理工大学应用物理系,西安,710048 |
| 摘 要： | 研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.当触发光能量和偏置电场不同时,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型.通过对击穿实验结果的分析认为,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因.偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga-As键的断裂程度,Ga-As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型. |
| 关 键 词： | 砷化镓 光电导开关 击穿机理 |
Breakdown Characteristics of Semi-Insulating GaAs Photoconductive Switch |
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