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| GaAs／AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器 | |
| 引用本文： | 李晋闽,郑海群,曾一平,孔梅影.GaAs／AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器[J].半导体学报,1995,16(1):48-51. |
| 作者姓名： | 李晋闽 郑海群 曾一平 孔梅影 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展．通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９e１０ｃｍ·Ｈｚ（１／２）／Ｗ，电压响应率为１．３e４Ｖ／Ｗ．各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于１８％，串音小于０．４５％，在最大探测率偏置条件下，器件的暗电流密度为６．２e－）Ａ／ｃｍ２． |
| 关 键 词： | 红外探测器 量子阱 砷化镓 砷化镓铝 |
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