| 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 |
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| 引用本文： | 李代宗,成步文,黄昌俊,王红杰,于卓,张春晖,余金中,王启明.组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征[J].半导体学报,2000,21(11):1111-1115. |
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| 作者姓名： | 李代宗 成步文 黄昌俊 王红杰 于卓 张春晖 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所集成光电子实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所集成光电子实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所集成光电子实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所集成光电子实验室!北京100083，中国 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;69896260-06;6978700469746001; |
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| 摘 要： | 采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 .分析了位错团产生的原因
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| 关 键 词： | 超高真空化学气相淀积 SiGe Raman散射 俄歇电子能谱 X射线双晶衍射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)11-1111-05 |
| 修稿时间： | 1999年8月23日 |
Growth and Characterization of Linearly Graded SiGe Buffer |
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| LI Dai\|zong,CHENG Bu\|wen,HUANG Chang\|jun,WANG Hong\|jie,YU Zhuo,ZHANG Chun\|hui,YU Jin\|zhong and WANG Qi\|ming.Growth and Characterization of Linearly Graded SiGe Buffer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(11):1111-1115. |
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| Authors: | LI Dai\|zong CHENG Bu\|wen HUANG Chang\|jun WANG Hong\|jie YU Zhuo ZHANG Chun\|hui YU Jin\|zhong and WANG Qi\|ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UHV/CVD SiGe Raman AES double\|crystal X\|ray diffraction |
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