| 退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响 |
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| 引用本文： | 吕建国,叶志镇,黄靖云,赵炳辉,汪雷.退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响[J].半导体学报,2003,24(7):729-736. |
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| 作者姓名： | 吕建国 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 汪雷 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027
(吕建国，叶志镇，黄靖云，赵炳辉)，浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027(汪雷) |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究项目 (No.G2 0 0 0 0 683 -0 6)，国家自然科学基金重点 (批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~ |
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| 摘 要： | 研究了退火处理对Zn O薄膜结晶性能的影响.Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2 气氛中不同温度(2 0 0～10 0 0℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的Zn O薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在6 4 0℃的应力松弛温度(SRT)下,Zn O薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时Zn O薄膜的结晶性能最优.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 退火处理 退火模型 结晶性能 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)07-0729-08 |
| 修稿时间： | 2002年5月26日 |
Influence of Postdeposition Annealing on Crystallinity of Zinc Oxide Films |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO films postdeposition annealing annealing model crystallinity |
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