| 4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取 |
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| 引用本文： | 吕红亮,张义门,张玉明,车勇,孙明.4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取[J].半导体学报,2008,29(3):458-460. |
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| 作者姓名： | 吕红亮 张义门 张玉明 车勇 孙明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体重点实验室，西安 710071;武警工程学院军械运输系，西安 710086;西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体重点实验室，西安 710071 |
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| 摘 要： | 研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4.386×1013cm-2·eV-1和8.394×10-6F/cm2,这与测量得到的器件端特性一致.
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| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基接触 表面态 器件模型 silicon carbide Schottky contact surface states device modeling. |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)03-0458-03 |
| 修稿时间： | 2007年7月30日 |
A Simple Method of Surface Parameter Extraction for Gate Schottky Contact in 4H-SiC MESFETs |
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| Zhang Yimen,Zhang Yuming,Che Yong,Sun Ming.A Simple Method of Surface Parameter Extraction for Gate Schottky Contact in 4H-SiC MESFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(3):458-460. |
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| Authors: | Zhang Yimen Zhang Yuming Che Yong Sun Ming |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices of the Ministry of Education,Microelectronics Institute,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices of the Ministry of Education,Microelectronics Institute,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices of the Ministry of Education,Microelectronics Institute,Xidian University,Xi'an 710071,China;Engineering College of Armed Police Force,Xi'an 710086,China;Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices of the Ministry of Education,Microelectronics Institute,Xidian University,Xi'an 710071,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide Schottky contact surface states device modeling |
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