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高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器
引用本文:王闯,钱蓉,孙晓玮,顾建忠.高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器[J].半导体学报,2005,26(4):786-789.
作者姓名:王闯  钱蓉  孙晓玮  顾建忠
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 (王闯,钱蓉,孙晓玮),中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050(顾建忠)
摘    要:报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9~4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.

关 键 词:赝配高电子迁移率晶体管  低噪声  高增益放大器  微波单片集成电路
文章编号:02534177(2005)04-0786-04
修稿时间:2004年5月28日

S-Band Monolithic Low Noise Amplifier with High Gain
Wang Chuang,QIAN Rong,Sun Xiaowei,GU Jianzhong.S-Band Monolithic Low Noise Amplifier with High Gain[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(4):786-789.
Authors:Wang Chuang  QIAN Rong  Sun Xiaowei  GU Jianzhong
Abstract:
Keywords:PHEMT  low noise  high gain amplifier  MMIC  
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