| 亚100nm SOI器件的结构优化分析 |
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| 引用本文： | 王文平,黄如,张国艳.亚100nm SOI器件的结构优化分析[J].半导体学报,2003,24(9):986-990. |
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| 作者姓名： | 王文平 黄如 张国艳 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项基金 (编号 :2 0 0 0 0 36 50 1)，国家自然科学基金资助项目~~ |
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| 摘 要： | 分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件
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| 关 键 词： | SOI器件 短沟效应 结构优化 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)09-0986-05 |
| 修稿时间： | 2002年10月9日 |
Structure Optimization Analysis of Sub-100nm SOI Device |
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| Wang Wenping,Huang Ru and Zhang Guoyan.Structure Optimization Analysis of Sub-100nm SOI Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(9):986-990. |
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| Authors: | Wang Wenping Huang Ru and Zhang Guoyan |
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| Abstract: | The effect of SOI device structure parameters on device performance is investigated.The analyses present the optimal direction of the structure parameters and give the design permitted region of the feasible silicon film thickness and the feasible channel doping.It is also shown that there is a peak value of threshold voltage rolling off between the partly depleted and fully depleted SOI device.This point should be avoided when designing device.As long as the structure parameters of the device are selected reasonably,the fine performance of device can be achieved. |
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| Keywords: | SOI device short-channel effect structure optimization |
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