| 射频薄膜体声波谐振器的研制和分析 |
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| 引用本文： | 汤亮,李俊红,郝震宏,乔东海.射频薄膜体声波谐振器的研制和分析[J].半导体学报,2008,29(11):2226-2231. |
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| 作者姓名： | 汤亮 李俊红 郝震宏 乔东海 |
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| 作者单位： | 中国科学院声学研究所 声学微机电实验室，北京 100190;中国科学院声学研究所 声学微机电实验室，北京 100190;中国科学院声学研究所 声学微机电实验室，北京 100190;中国科学院声学研究所 声学微机电实验室，北京 100190 |
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| 摘 要： | 研制了一种采用氮化硅/二氧化硅/氮化硅复合膜作为支持薄膜的高Q薄膜体声波谐振器. 当采用单层氮化硅膜或二氧化硅膜作为谐振器的支持薄膜时，由于残余应力的作用，释放完的薄膜往往会出现褶皱的现象，极大地降低了薄膜体声波谐振器的Q值；上述复合膜结构有效地解决了这个问题. 采用直流磁控溅射法制备了氧化锌压电薄膜，X射线衍射结果表明制备的氧化锌薄膜具有很好的c轴择优取向，意味着氧化锌薄膜具有较好的压电性. S参数测试结果表明该薄膜体声波谐振器在0.4~2.6GHz的频率范围内具有3个明显的谐振模式，计算了这些谐振模式的串联谐振频率、并联谐振频率、有效机电耦合系数和Q值. 在这3个模式中，第3个谐波模式的工作频率约为2.4GHz，具有最高的Q值（约为500) ，可用来制备2.4GHz的低相噪射频振荡源.
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| 关 键 词： | 薄膜体声波谐振器 振荡器 滤波器 复合膜 氧化锌 |
| 收稿时间： | 6/2/2008 10:47:57 AM |
| 修稿时间： | 7/23/2008 5:22:34 PM |
Development and Analysis of an RF Film Bulk Acoustic Resonator |
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| Tang Liang,Li Junhong,Hao Zhenhong and Qiao Donghai.Development and Analysis of an RF Film Bulk Acoustic Resonator[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(11):2226-2231. |
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| Authors: | Tang Liang Li Junhong Hao Zhenhong and Qiao Donghai |
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| Affiliation: | MEMS Laboratory, Institute of Acoustics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;MEMS Laboratory, Institute of Acoustics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;MEMS Laboratory, Institute of Acoustics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;MEMS Laboratory, Institute of Acoustics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | film bulk acoustic resonator oscillator filter composite diaphragm ZnO |
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