| 高铝Al_xGa_(1-x)As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响 |
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| 引用本文： | 康香宁,宋国峰,叶晓军,侯识华,陈良惠.高铝Al_xGa_(1-x)As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响[J].半导体学报,2004,25(5):589-593. |
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| 作者姓名： | 康香宁 宋国峰 叶晓军 侯识华 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心 北京100083
(康香宁，宋国峰，叶晓军，侯识华)，中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心 北京100083(陈良惠) |
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| 摘 要： | 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备 ,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Alx Ga1 - x As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响 ,结合器件结构设计确定了氧化限制层 Alx Ga1 - x-As的铝组分和最佳位置 ,并制备出了低阈值电流的 Al Ga In P系垂直腔面发射激光器
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| 关 键 词： | AlxGa1-xAs湿氮选择氧化 微区光致发光谱 垂直腔面发射激光器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)05-0589-05 |
| 修稿时间： | 2003年5月13日 |
Effect of High Aluminum AlGaAs Oxidized Layers on Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers |
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| Kang Xiangning,Song Guofeng,Ye Xiaojun,Hou Shihua and Chen Lianghui.Effect of High Aluminum AlGaAs Oxidized Layers on Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(5):589-593. |
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| Authors: | Kang Xiangning Song Guofeng Ye Xiaojun Hou Shihua and Chen Lianghui |
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| Abstract: | The characterization of high Al containing AlGaAs oxidized layers and the compressive strain effect of oxide layer on the active region are discussed for the fabrication of visible vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL) by wet oxidation and micro photoluminescence spectrum measurement respectively.The optimal position and Al mole fraction of oxide layer are presented.AlGaInP VCSELs with low threshold current are fabricated successfully. |
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| Keywords: | Al x Ga 1- x As wet oxidation micro photoluminescence VCSEL |
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