| 4H-SiC混合 PN/ Schottky二极管的研制 |
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| 引用本文： | 张玉明,张义门,P Alexandrov,J H Zhao.4H-SiC混合 PN/ Schottky二极管的研制[J].半导体学报,2001,22(3):265-270. |
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| 作者姓名： | 张玉明 张义门 P Alexandrov J H Zhao |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,,Department of Electrical and Computer Engineering,The State University of New Jersey, |
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| 摘 要： | 报道了 4H- Si C混合 PN / Schottky二极管的设计、制备和特性 .该器件用镍作为肖特基接触金属 ,使用了结终端扩展 (JTE)技术 .在肖特基接触下的 n型漂移区采用多能量注入的方法形成 P区而组成面对面的 PN结 ,这些 PN结将肖特基接触屏蔽在高场之外 ,离子注入的退化是在 15 0 0℃下进行了 30 min.器件可耐压 6 0 0 V,在 6 0 0 V时的最小反向漏电流为 1× 10 - 3A/ cm2 . 10 0 0μm的大器件在正向电压为 3V时电流密度为 2 0 0 A/ cm2 ,而 30 0μm的小尺寸器件在正向电压为 3.5 V电流密度可达 10 0 0 A/ cm2
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| 关 键 词： | 功率器件 碳化硅 半导体二极管 MPS |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）03-0265-06 |
| 修稿时间： | 2000年10月15日 |
Fabrication of 4H-SiC Merged PN-Schottky Diodes |
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| ZHANG Yu-ming,ZHANG Yi-men,P.Alexandrov,J.H.Zhao.Fabrication of 4H-SiC Merged PN-Schottky Diodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(3):265-270. |
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| Authors: | ZHANG Yu-ming ZHANG Yi-men PAlexandrov JHZhao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power devices SiC semiconductor diode MPS |
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