|
|||||
|
|
| P－型HgCdTe MIS结构反型层激发态子能带结构研究 | |
| 引用本文： | 刘坤,褚君浩,李标,汤定元.P－型HgCdTe MIS结构反型层激发态子能带结构研究[J].半导体学报,1995,16(6):407-412. |
| 作者姓名： | 刘坤 褚君浩 李标 汤定元 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 本文在４．２Ｋ下获得了Ｐ－型ＨｇＣｄＴｅ反型层有两个子能带被占据时的电容谱．基于多个子带被占据的非量子限情形，提出了一个实验模型．用该模型对实验结果进行了拟合，获得了反型层基态及激发态子能带结构，包括基态子能带能量、第一激发态子能带能量、费米能级、耗尽层厚度、反型层平均厚度以及它们随反型层电子浓度的变化关系． |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |