| 自对准GaInP/GaAs HBT器件 |
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| 引用本文： | 钱永学,刘训春,王润梅,石瑞英.自对准GaInP/GaAs HBT器件[J].半导体学报,2002,23(5):513-516. |
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| 作者姓名： | 钱永学 刘训春 王润梅 石瑞英 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G2000006830403; |
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| 摘 要： | 利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 镓铟磷/镓砷 T形发射极 侧向内切 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)05-0513-04 |
| 修稿时间： | 2001年9月4日 |
Self-Aligned GaInP/GaAs HBT Device |
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| Qian Yongxue,Liu Xunchun,Wang Runmei and Shi Ruiying.Self-Aligned GaInP/GaAs HBT Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(5):513-516. |
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| Authors: | Qian Yongxue Liu Xunchun Wang Runmei and Shi Ruiying |
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| Abstract: | A method to fabricate self-aligned GaInP/GaAs HBT devices is presented.With this method,f_t and f_max of the device can reach 54GHz and 71GHz respectively.This process is simple compared with othe r methods.The theoretical analysis about how to improve the RF characteristics o f these devices is also described. |
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| Keywords: | HBT GaInP/GaAs T-emitter lateral-cut |
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