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带保护环结构的条形X光阵列探测器
引用本文:盛丽艳,韩德俊,张秀荣,田晓娜,王传敏,杜树成,谢凡,王光甫.带保护环结构的条形X光阵列探测器[J].半导体学报,2003,24(2):198-202.
作者姓名:盛丽艳  韩德俊  张秀荣  田晓娜  王传敏  杜树成  谢凡  王光甫
作者单位:北京师范大学低能核物理所射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理所射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理所射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理所射线束技术与材料改性教育部重点实验室,中国航天电子技术研究院新器件室,北京师范大学低能核物理所射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理所射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学测试中心 北京市辐射中心,北京100875,北京市辐射中心,北京100875,北京市辐射中心,北京100875,北京市辐射中心,北京100875,北京100076,北京市辐射中心,北京100875,北京市辐射中心,北京100875,北京100875
基金项目:国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 6),北京市科技新星计划 (合同号 :95 2 870 3 0 0 ),教育部优秀青年教师基金资助项目~~
摘    要:研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.

关 键 词:X光探测器    死区    漏电流    保护环    端面入射

Reduction of "Dead Region" of Silicon Stripe Detectors by Guard Ring Structure
Sheng Liyan ,Han Dejun ,Zhang Xiurong ,Tian Xiaona ,Wang Chuanmin ,Du Shucheng ,Xie Fan and Wang Guangfu.Reduction of "Dead Region" of Silicon Stripe Detectors by Guard Ring Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(2):198-202.
Authors:Sheng Liyan  Han Dejun  Zhang Xiurong  Tian Xiaona  Wang Chuanmin  Du Shucheng  Xie Fan and Wang Guangfu
Affiliation:Sheng Liyan 1,Han Dejun 1,Zhang Xiurong 1,Tian Xiaona 1,Wang Chuanmin 2,Du Shucheng 1,Xie Fan 1 and Wang Guangfu 3
Abstract:
Keywords:X  ray detector  dead region  leakage current  guard ring  edge on
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