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| 1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究 | |
| 引用本文： | 徐立,武国英,张国炳,王阳元.1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究[J].半导体学报,1991,12(6):360-366. |
| 作者姓名： | 徐立 武国英 张国炳 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 北京100871 (徐立，武国英，张国炳)，北京大学微电子学研究所 北京100871(王阳元) |
| 摘 要： | 针对微米与亚微米器件对自对准硅化物技术的要求,本文报道了沟道长度为1微米的自对准CoSi_2硅化物化MOSFET(SALICIDE)技术的实验结果.首先研究了CoSi_2薄膜形成动力学和膜性质,随后着重研究并讨论了与自对准CoSi_2技术有关的一些重要问题,包括各向异性刻蚀、选择腐蚀和栅侧壁氧化物上的桥接试验等,最后给出了 1μm沟道长度的自对准 CoSi_2 SALICIDE MOS晶体管的电学性能实验结果. |
| 关 键 词： | 场效应晶体管 自对准 硅化物 |
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