| 输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件 |
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| 引用本文： | 王晓亮,刘新宇,胡国新,王军喜,马志勇,王翠梅,李建平,冉军学,郑英奎,钱鹤,曾一平,李晋闽.输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件[J].半导体学报,2005,26(10). |
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| 作者姓名： | 王晓亮 刘新宇 胡国新 王军喜 马志勇 王翠梅 李建平 冉军学 郑英奎 钱鹤 曾一平 李晋闽 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016cm-3;非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过108Ω·cm,相应的方块电阻超过1012Ω/□.50mm HEMT外延片平均方块电阻为440.9Ω/□,方块电阻均匀性优于96％.用此材料研制出了0.2μm栅长的X波段HEMT功率器件,40μm栅宽的器件跨导达到250mS/mm,特征频率fT为77GHz;0.8mm栅宽的器件电流密度达到1.07A/mm,8GHz时连续波输出功率为1.78W,相应功率密度为2.23W/mm,线性功率增益为13.3dB.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 MOCVD 功率器件 AlGaN/GaN HEMT MOCVD power device 输出功率密度 波段 AlGaN HEMTs 器件 Density Power MOCVD bias power devices current density linear width display total output power gain cutoff frequency gate periphery |
X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD |
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| Wang Xiaoliang,Liu Xinyu,Hu Guoxin,Wang Junxi,Ma Zhiyong,Wang Cuimei,Li Jianping,Ran Junxue,Zheng Yingkui,Qian He,Zeng Yiping,Li Jinmin.X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(10). |
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| Authors: | Wang Xiaoliang Liu Xinyu Hu Guoxin Wang Junxi Ma Zhiyong Wang Cuimei Li Jianping Ran Junxue Zheng Yingkui Qian He Zeng Yiping Li Jinmin |
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