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多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响
引用本文:陆敏,方慧智,黎子兰,陆曙,杨华,章蓓,张国义.多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响[J].半导体学报,2004,25(5):526-529.
作者姓名:陆敏  方慧智  黎子兰  陆曙  杨华  章蓓  张国义
作者单位:北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871
基金项目:国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家重点实验室基金
摘    要:采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高 MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量

关 键 词:MOCVD    GaN    缓冲层
文章编号:0253-4177(2004)05-0526-04
修稿时间:2003年5月29日

Multi-Buffer Layers Effect on Characteristic of GaN Grown by MOCVD
Lu Min,Fang Huizhi,Li Zilan,Lu Shu,Yang Hua,Zhang Bei and Zhang Guoyi.Multi-Buffer Layers Effect on Characteristic of GaN Grown by MOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(5):526-529.
Authors:Lu Min  Fang Huizhi  Li Zilan  Lu Shu  Yang Hua  Zhang Bei and Zhang Guoyi
Abstract:GaN films were grown with different multi buffer layers by MOCVD.X ray diffraction and photoluminence were applied to study the characteristic of GaN films.Compared to GaN film with conventional single low temperature buffer layer,the FWHM of (0002) XRD and PL of GaN films with different multi buffer layers were narrowed.It indicated that these multi buffer layers techniques could improve crystal quality of GaN films.
Keywords:MOCVD  GaN  buffer layer
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