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一种高稳定性高精度低压差线性稳压器的分析与设计
引用本文:沈良国,严祖树,王钊,张兴,赵元富.一种高稳定性高精度低压差线性稳压器的分析与设计[J].半导体学报,2007,28(12):1872-1877.
作者姓名:沈良国  严祖树  王钊  张兴  赵元富
作者单位:[1]北京大学微电子学系,北京100871 [2]北京微电子技术研究所,北京100076 [3]中星微电子有限公司,北京100083
摘    要:提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对(极零对的产生没有增加静态功耗),不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作。由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要; 而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度,该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现,后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压(dropout电压)仅为120mV。

关 键 词:线性稳压器  低压差  缓慢滚降式频率补偿  线性调整率  负载调整率
文章编号:0253-4177(2007)12-1872-06
修稿时间:8/1/2007 10:59:56 PM

Analysis and Design of a High-Stability,High-Accuracy,Low-Dropout Voltage Regulator
Shen Liangguo,Yan Zushu,Wang Zhao,Zhang Xing and Zhao Yuanfu.Analysis and Design of a High-Stability,High-Accuracy,Low-Dropout Voltage Regulator[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(12):1872-1877.
Authors:Shen Liangguo  Yan Zushu  Wang Zhao  Zhang Xing and Zhao Yuanfu
Affiliation:Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Beijing Microelectronics Technology Institute,Beijing 100076,China;Vimicro Corporation,Beijing 100083,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Beijing Microelectronics Technology Institute,Beijing 100076,China
Abstract:
Keywords:voltage regulator  LDO  slow-rolloff frequency compensation  line regulation  load regulation
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