| 新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性 |
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| 引用本文： | 史衍丽,邓军,杜金玉,廉鹏,高国,陈建新,沈光地,尹洁,吴兴惠.新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性[J].半导体学报,2001,22(4):503-506. |
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| 作者姓名： | 史衍丽 邓军 杜金玉 廉鹏 高国 陈建新 沈光地 尹洁 吴兴惠 |
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| 作者单位： | [1]北京工业大学北京光电子技术实验室，北京100022 [2]华北光电技术研究所红外室，北京100015 |
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| 摘 要： | 对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 .
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| 关 键 词： | 新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 暗电流特性分析 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）04-0503-04 |
| 修稿时间： | 2000年3月11日 |
Analysis of Dark Current Characteristic of Novel GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors |
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| SHI Yan-li,DENG Jun,DU Jin-yu,LIAN Peng,GAO Guo,CHEN Jian-xin,SHEN Guang-di,YIN Jie,WU Xing-hui.Analysis of Dark Current Characteristic of Novel GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(4):503-506. |
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| Authors: | SHI Yan-li DENG Jun DU Jin-yu LIAN Peng GAO Guo CHEN Jian-xin SHEN Guang-di YIN Jie WU Xing-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | novel GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors analysis of dark current characteristics |
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