| 一种高效率的适合于低功耗应用的电荷泵电路 |
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| 引用本文： | 冯鹏,李昀龙,吴南健. 一种高效率的适合于低功耗应用的电荷泵电路[J]. 半导体学报, 2010, 31(1): 015009-5 |
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| 作者姓名： | 冯鹏 李昀龙 吴南健 |
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| 作者单位： | State;Laboratory;Super;Lattices;Microstructures;Institute;Semiconductors;Chinese;Academy;Sciences; |
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| 摘 要： | 设计实现了一种高效率的电荷泵电路。利用电容和晶体管对电荷传输开关进行偏置来消除开关管阈值电压的影响。同时，通过对开关管的的衬底进行动态的偏置使得在电荷传输期间当开关管打开时其阈值电压较低，在开关管关断时其阈值电压较高。该电荷泵电路的效率得到了提高。基于0.18μm，3.3V标准CMOS工艺实现了该电路。在每级电容为0.5pF,时钟频率为780KHz，电源电压为2V的情况下，测得的8级电荷泵的输出电压为9.8V。电荷泵电路和时钟驱动电路从电源处总共消耗了2.9μA的电流。该电荷泵电路适合于低功耗的应用。
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| 关 键 词： | 电荷泵电路 低功耗 应用 高效率 晶体管开关 收费 CMOS工艺 阈值电压 |
| 收稿时间： | 2009-04-09 |
| 修稿时间： | 2009-09-21 |
A high efficiency charge pump circuit for low power applications |
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| Feng Peng,Li Yunlong and Wu Nanjian. A high efficiency charge pump circuit for low power applications[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2010, 31(1): 015009-5 |
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| Authors: | Feng Peng Li Yunlong Wu Nanjian |
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| Affiliation: | State Key Laboratory for Super Lattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Super Lattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Super Lattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high efficiency low power charge pump circuit high-voltage generator standard CMOS process |
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